インジウムは柔らかく低融点でやや青みがかった希少（レア）金属である。地殻中に独立した鉱床をほとんど持たず、すべて亜鉛および亜鉛・鉛製錬の副産物として回収されるため、産出量は少なく価格は高い。最もよく知られた用途はタッチスクリーンとディスプレイである。インジウム錫酸化物（ITO）透明導電膜は、フラットパネルLCD、OLED、タッチパネル、プラズマテレビ向けに大規模生産される唯一の透明電極材料である。透明で導電性という材料要件を満たすのに、価格性能比で比肩できる第二の材料はほとんど存在しない。スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、自動受付端末の画面ガラスの背後には、厚さ数十ナノメートルのITO膜がある。半導体では、リンやヒ素との化合物半導体が赤外検出、光ファイバー通信、高周波デバイスの鍵材料である。リン化インジウムは長距離光ファイバー通信用レーザーおよび検出器の基板であり、ヒ化インジウムは赤外センサやテラヘルツデバイスに使われる。はんだもインジウムの重要市場である。インジウム系軟ろうは低融点で濡れ性が良く、熱膨張係数の異なる材料間の熱応力を緩衝し、半導体パッケージング、低温真空シール、太陽光モジュールに用いられる。極低温接合を必要とする航空宇宙や極低温エレクトロニクスでは特にかけがえがない。低融点合金（消火スプリンクラー、可溶栓）、軸受合金、核放射線検出器にも使われる。
三酸化二インジウム（In2O3）はITO透明導電膜の主要構成成分の一つで、白色または淡黄色の粉末である。スズをドープすると導電性透明膜となり、タッチスクリーン、LCDパネル、OLEDディスプレイの中心的電極材料となる。ヒ化インジウム（InAs）はバンドギャップが狭く電子移動度が極めて高い半導体で、主に赤外検出器、量子井戸デバイス、ホールセンサ、高速電子デバイスの作製やテラヘルツイメージング研究に用いられる。リン化インジウム（InP）は直接遷移バンドギャップで高い電子移動度を持ち、光ファイバー通信における1310nmおよび1550nmレーザー、光検出器、高速HEMTの基板材料であり、今日のインターネット光バックボーンを支えている。ITOはIndium Tin Oxide（インジウム錫酸化物）の略で、In2O3に約10%のSnO2をドープした固溶体である。可視光で高透明、近赤外で高反射を併せ持ち、ディスプレイ電極以外にも、ローエミッションガラス、航空機の着氷防止ヒーター膜、透明電磁波シールドコートとして用いられる。
